„Atomově tenké“ tranzistory by mohly pomoci učinit elektronické skiny realitou

elektronický skin Skutečně by se to stalo praktickým, jen kdyby bylo dostatečně tenké, aby to bylo téměř nepozorovatelné, a vědci možná právě udělali tento průlom. Stanfordští vědci pokročilý Nová technologie produkuje „atomové tenké“ tranzistory o délce méně než 100 nanometrů. To je podle univerzity „několikrát“ kratší než předchozí nejlepší.

Tým dosáhl tohoto úspěchu překonáním dlouholeté překážky ve flexibilní technologii. Zatímco 2D polovodiče jsou ideálním řešením, vyžadují, aby se pružný plast roztavil, hodně tepla. Nový přístup pokrývá křemík potažený sklem s velmi tenkou vrstvou polovodiče (disulfid molybdenu) pokrytý nano-zlatými elektrodami. Výsledkem je film o tloušťce pouhých tří atomů při teplotě blízké 1 500 stupňů Fahrenheita – běžný plastový substrát by se zdeformoval kolem 680 stupňů Fahrenheita.

Jakmile komponenty ochladí, může tým aplikovat film na substrát a provést několik „dalších výrobních kroků“, aby vytvořil celou strukturu o tloušťce asi pět mikronů nebo desetinu tloušťky lidského vlasu. Je dokonce ideální pro použití s ​​nízkou spotřebou, protože zvládne vysoké proudy při nízkém napětí.

Je třeba udělat více práce. Vědci chtějí vylepšit flexibilní technologii a zahrnout bezdrátovou technologii, která by umožnila síť bez objemného hardwaru. To také ignoruje výzvy typické pro takovou technologii – vynálezci budou muset najít způsob, jak hromadně vyrábět tyto tranzistory za rozumné ceny. Pokud by však byl úspěšný, mohlo by to vést k vysoce účinným elektronickým formulářům, Výsadba a další téměř nepostřehnutelná flexibilní zařízení.